完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX(SOTB)MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき (シリコン材料・デバイス)
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概要
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- 2012-08-02
著者
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槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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槇山 秀樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
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山本 芳樹
超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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