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筑波大計科セ | 論文
- 最大エントロピー法を用いた格子上の不安定粒子の研究(素粒子物理学の進展,研究会報告)
- 27pXB-10 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(超高速現象,領域5,光物性)
- 30pVA-7 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノン生成の記述(30pVA 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 2P038 ペプチド結合を介したプロトン移動(蛋白質 B) 構造・機能相関))
- Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
- 3SB08 理論計算による蛋白質中での電子、陽子移動(蛋白質場の精密化学)
- 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
- 20pYE-7 Al および Si 原子鎖のコンダクタンス計算
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 24pTE-5 実時間・実空間TDDFT法を用いた磁気円二色性の第一原理計算(24pTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 30aYH-9 紫外線領域に於ける単層カーボンナノチューブのバンド間遷移(30aYH ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aZA-10 電子-イオン系とパルスレーザー場の相互作用の第一原理的記述(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
- 19aZA-11 強レーザー場によるダイアモンドの誘電破壊の第一原理計算(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
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