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筑波大計科セ | 論文
- 26aWB-10 時間依存密度汎関数法によるバルク固体光応答の実時間シミュレーション(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 26aWB-11 強レーザー場による透明素材の絶縁崩壊過程の第一原理計算(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 28pRE-9 時間依存密度汎関数法に基づくバルクSiとパルスレーザー場の相互作用の記述(28pRE 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
- 19pYN-5 時間依存密度汎関数法による励起状態計算(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aXF-6 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造 II : 螺旋度依存性の詳細
- 30pZB-3 カイラル型カーボンナノチューブの電子構造
- 29pXB-1 強光子場中における多原子分子のイオン化率の第一原理計算
- 23aTE-12 実時間-実空間法による誘電関数の第一原理計算
- I=2 pion scattering phase shift on non rest frame lattice (格子場の理論スクール)
- 22aXJ-6 第一原理計算によるGe/Si(001)の歪緩和と転位に関する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aRA-6 分子の磁気円二色性スペクトルに対する実時間第一原理計算(28aRA 原子分子(理論・分光・表面),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aTE-8 実空間密度汎関数法における対称性の利用(28aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pTA-11 金属基板によるグラフェンの電子構造変調(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aPS-91 量子ポイントコンタクトにおける交流応答の形状効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pHG-6 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 21aRB-10 時間依存密度汎関数理論による半金属コヒーレントフォノン生成の記述(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
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