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筑波大物質工学 | 論文
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- ZnSe単結晶内の点欠陥 : 評価I
- 27a-T-8 陽電子消滅によるCuの3次元運動量分布の測定
- 27a-T-7 陽電子消滅によるMgの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-6 陽電子消滅によるV, Taの3次元電子運動量分布の測定
- 27aRC-1 スクロース結晶の結晶-非晶質相転移のカイネティクスII(27aRC 分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYL-12 スクロース結晶の結晶・非結晶相転移のカイネティクス(τ-型, および各種相転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
- 30a-F-10 2DACARによる六方晶遷移金属のフェルミ面の研究
- 30a-F-7 陽電子消滅二次元角相関法によるCeB_6の三次元運動量分布の再構成
- 28a-B-3 単結晶グラファイトによる陽電子消滅2次元角相関測定 II
- 2p-P-2 陽電子消滅二次元角相関によるTi,Ru,Reのフェルミ面