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筑波大物質工学 | 論文
- 2a-C-5 Al,Cuの刃状転位近傍の2次元電子運動量分布
- 陽電子消滅法による材料評価および低速陽電子ビーム技術の将来の展望
- 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
- 29a-P-2 n型GaAs:Si中の水素状不純物(muon)の荷電状態と拡散性
- 13a-D-1 GaAs中のミュオニウムの量子拡散 : ドナー不純物の影響
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 陽電子スペクトル - 陽電子消滅誘起オージェ分光,陽電子イオン化質量分析
- 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
- 3C17 強誘電性液晶及び強誘電性液晶-導電性高分子液晶複合体の光学的性質と電気光学効果
- 5p-S-3 ポリアセチレン系導電性高分子液晶の電子・光物性
- 5p-PS-28 陽電子消滅による高温超伝導体のフェルミ面の決定
- 1a-SG-14 BGO64検出器陽電子消滅角相関装置の製作
- 1a-SG-13 陽電子消滅の温度・スペクトル2次元相関測定法の開発とAl合金中の熱平衡欠陥
- 4p-E4-1 電子リニアックを用いた低速陽電子の発化
- 2p-P-4 陽電子消滅二次元角相関による金属六ホウ化物のフェルミ面
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第4回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第3回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第5回)
- 1p-W-7 陽電子消滅によるNbの3次元電子運動量分布の測定
- 2p-F-3 陽電子消滅による半導体中の3次元電子運動量分布と点欠陥の関係