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筑波大物理工 | 論文
- 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
- 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
- 50GHzチャネル間隔の陸上長距離伝送システムに適した40Gbit/s光変調方式の検討(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- B-10-45 50GHzチャネル間隔の陸上長距離伝送システムに適した40Gbit/s光変調方式の検討(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- B-10-63 帯域制限時の40Gbit/s Duobinary変調方式の特性評価(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- PMD補償器を用いた単一偏波160Gbit/sベース信号フィールド伝送実験(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- B-10-41 160Gbit/s信号伝送システムに適した偏波モード分散補償器の検討(B-10.光通信システムB(光通信), 通信2)
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- 27a-ZD-7 反射高速陽電子回折(RHEPD)装置の試作
- 28a-D-11 単色陽電子線による化合物半導体の格子欠陥の検出
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
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