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筑波大学大学院数理物質科学研究科電子・物理工学専攻 | 論文
- 結晶成長技術
- 量子ナノ構造を導入した次世代太陽電池
- タンパク質凝集抑制剤の構造(ポリペプチド凝集のテクノロジー)
- 多波長法による位相変調型微分干渉顕微鏡の計測範囲拡張
- 位相変調型微分干渉顕微鏡 : 透過物体の位相分布の定量測定
- Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
- CS-12-8 シリコンナノフォトニクスへの期待(CS-12. 次世代ナノ技術と情報通信, エレクトロニクス2)
- 5p-YK-5 Fe-Si系化合物の作製と評価(III)
- Traveling Liquidus-Zone (TLZ) 法により成長するバルクInGaAsの単結晶化初期状態の観察
- Traveling Liquidus-Zone 法で成長するバルクInGaAsの単結晶化メカニズムの検討
- 23aTL-4 環境半導体 β-FeSi_2 の電子構造の圧力効果
- Control of the Conduction Type of Nondoped High Mobility β-FeSi_2 Films Grown from Si/Fe Multilayers by Change of Si/Fe Ratios
- 多元系シリサイドの新展開 : 半導体BaSi_2を例に
- Band Diagrams of BaSi_2/Si Structure by Kelvin Probe and Current-Voltage Characteristics
- Optical Absorption Edge of Ternary Semiconducting Silicide Ba_Sr_xSi_2
- Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi_2 Thin Films on Si(111) Substrates by Reactive Deposition Epitaxy
- Epitaxial Growth of Si-Based Ternary Alloy Semiconductor Ba_Sr_xSi_2 Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- Epitaxial Growth of Semiconducting BaSi_2 Films on Si(111) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
- 環境に優しい光半導体 : β-FeSi_2の現状と将来展望
- 鉄シリサイド光デバイスの最前線 (特集 機能に富んだ材料シリコン)