スポンサーリンク
福菱セミコン | 論文
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- 25pZ-14 SiC薄膜収縮によるSiC/Si界面欠陥の形成
- 28a-YK-12 SiC薄膜中過剰C原子のSi基板への外拡散
- 28a-S-3 SiC膜/Si基板界面に形成されたC-rich層の結晶性
- 28a-S-2 SiC膜/Si基板界面にC-rich層の形成メカニズム
- SiC薄膜/Si基板界面の空洞化メカニズム
- 水素プラズマスパッタリング法によるSiC薄膜の低温作成
- 紫外線照射に伴うPPS表面の改質効果
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
スポンサーリンク