スポンサーリンク
神戸大VBL:神戸大工 | 論文
- Erasable analog memory in polycrystalline Bi_2O_3 thin films
- ELECTRONIC STRUCTURE OF LONG-RANGE ORDERED Ga_In_P ALLOY SEMICONDUCTOR
- InGaAs/GaAs歪超格子における光学遷移の電界効果
- 29p-ZE-1 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR IV
- 28a-YN-2 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR III
- 31p-YH-14 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR II
- 6a-YG-3 高不純物濃度Si:Mnの強磁場ESR
- 27a-Q-10 Siの束縛励起子および束縛多励起子の再結合Kinetics
- 27a-Q-9 Si: Liの束縛多励起子発光強度の解析
- 3p-B-14 Siにおける中性不純物による励起子捕獲断面積
- 3p-B-13 Si:Liの束縛励起子発光および吸収スペクトル
- 2a GE-4 Si:Liの束縛励起子発光II : 不純物濃度効果
- 2a GE-3 Si:Liの束縛励起子発光I : 励起強度依存性
- 5p-LT-9 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(II)
- 5p-LT-8 Siの束縛多励起子発光の励起強度依存性(I)
- モンカテルロ・マスター方程式法によるエピタキシャル薄膜・界面構造シミュレーション
- Si微細ファセット構造上におけるGaAsのミクロ成長機構
- 分子線エピタキシー過程におけるサイト相関吸着と原子配列秩序(「核形成と成長カイネティクス」)
- Field evolution of electronic states in a finite-period InGaAs/GaAs strained layer superlattice
- 2元混晶系MBE成長における吸着,拡散過程の確率論と原子配列秩序 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (核形成と成長のカイネティクス)