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神戸大VBL:神戸大工 | 論文
- 27p-ZG-4 GaAs系化合物半導体MBE過程の協同現象
- 2a-B-16 Si単結晶中の酸素ドナー状態
- フォトルミネッセンス法による不純物濃度の評価 (光学的手法によるSiウエ-ハの評価(技術ノ-ト))
- 5p-LT-10 Siの束縛励起子発光帯の一軸性応力効果
- 31a-BH-4 Si:P の励起子二電子遷移 (IV)
- 12a-R-8 Si:Bの励起子発光の不純物濃度依存性
- 12a-R-7 Si:Pの励起子二電子遷移(III)
- 5a-K-8 Si:Pの励起子二電子遷移(II)
- 6a-B-2 Si:Pの励起子二電子遷移