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沖電気工業研究開発本部 | 論文

• アイソレータフリーモジュール用1.3μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• シリコンマイクロレンズを用いた光集積素子の開発(高密度実装プロセス要素技術,先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
• YBCOフラックスフロートランジスタ(その1)
• (Ba,Rb)BiO_3を用いた三端子素子の作製と評価
• SC-2-3 ETC用送信MMICの開発
• ETC用送信部MMIC
• ETC用送信部MMIC
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• [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
• B-5-238 ミリ波広帯域無線アクセスネットワークver.4 : (2)屋外系試作装置のミリ波無線部
• 光通信用半導体疑似位相整合波長変換素子
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• リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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• アイソレータフリーモジュール用1.3μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)

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