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沖電気工業(株)オプティカルコンポーネントカンパニー | 論文
- 二重通過型半導体光強度変調器の基本特性
- コプレーナ電極構造を持つ電界吸収型光変調器の基本特性
- 低チャープ・低偏波依存性InGaAsP電界吸収型光変調器
- 10Gb/s光伝送用EA型変調器モジュール
- InGaAsP電界吸収型光変調器付きDFBレーザ
- C-4-17 40GHzモード同期半導体レーザモジュール
- 40Gb/s用EA変調器集積DFBレーザモジュール
- 10Gb/s光伝送用送信モジュール : EA変調器付きDFBレーザ・GaAsドライバIC内蔵
- MOVPE選択成長を用いたEA-変調器集積波長可変DBRレーザ
- 60GHz帯電界吸収型半導体光変調器モジュール
- 60GHz帯電界吸収型半導体光変調器モジュール
- 10Gbps光通信用光モジュール (MES'97(第7回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集))
- 10Gbit/s光通信用送信モジュ-ル (電子部品特集)
- 10Gb/s光通信用超小型ドライバ内蔵EA/LDモジュール
- 10Gb/s光伝送用送信モジュール : 電界吸収型変調器付きDFBレーザ・GaAsドライバIC内蔵
- 負のチャープを持つ1.55μm帯電界吸収型光強度変調器の基本特性
- イメージファイバプレートを用いた並列光伝送モジュールの検討
- 10Gb/s光受信器
- C-3-103 超広帯域(>500GHz)EA変調器モジュール
- 40GHz変調帯域受動導波路付きMQW-EA変調器