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株式会社日立製作所 中央研究所 | 論文
- BCS-2-8 100Gbpsイーサネット用1.3μm帯25GbpsアンクールドEA/DFBレーザ(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-2 1.3μm帯アンクールドEA/DFBレーザによる43Gbps 10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 経頭蓋超音波脳血栓溶解装置の開発1-システムの開発
- B-5-183 受信機低消費電力化方式の検討
- C-12-23 ダイレクトコンバージョン送信方式のGSMシステムへの適用
- 39.8-43GHz VCOを内蔵したフルレート動作OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI
- C-12-36 SiGe HBTを用いた43Gb/s 16:1MUX用低ジッタ出力回路の設計(C-12.集積回路C(アナログ))
- フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フルレートクロック動作40-43Gビット/秒16多重・分離LSI(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43 Gb/s光伝送システム16:1MUX ICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- SiGe HBTを用いた43Gb/s光伝送システム16 : 1MUXICモジュール向け低ジッタ出力回路の設計
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積技術を用いた省電力10Gbpsレーザの高信頼性動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-16 100GHz-8ch波長可変EA/DFBレーザによる10Gbit/s-80km伝送(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光通信用レーザの最新動向 (月刊オプトロニクス2008年12月号綴込み付録 レーザ製品の手引き Optronics Mini Magazine)
- C-4-11 InGaAlAs-InGaAsP異種材料集積レーザの高信頼性動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
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