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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター | 論文
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高速・高密度光ディスク用超薄型ホログラムユニット
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- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 光ヘッド用モノリシック2波長レーザー
- 液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力2波長レーザの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- C-10-10 無極性a面上ノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
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- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
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