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東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設 | 論文
- ニューラルネットワークの手法を用いた断熱的量子計算における計算能力に関する考察
- C-8-2 単一磁束量子ポンプによるゼロクロッシング・ステップの生成
- 変位電流評価法を用いた有機ヘテロ接合界面における電荷トラップの評価(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 有機FETの動作機構に及ぼす界面の影響(特別ワークショップ:電子デバイスとしてみた有機トランジスタ・太陽電池の現状と展望)
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価
- 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
- 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
- Alq_3遮光下真空蒸着膜に発生する光消去可能な巨大表面電位の特性評価(センサデバイス・MEMS・一般)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- ルブレン単結晶FETの動作特性に及ぼすソース・ドレイン電極の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
- 双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 色素増感太陽電池のための透明電極上への酸化チタンナノチューブの形成(有機・薄膜デバイス,一般)
- 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
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