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東北大学際セ | 論文
- 27aF-10 ゼオライトLTA中のRbクラスターのESR : スペクトル幅の異常な増大
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 31a-XB-5 純一次元電子系Me_4X(CPDT-TCNQ)_2(X=N, P, As)の低温物性2
- 25a-N-6 純一次元電子系Me_4X(CPDT-TCNQ)_2(X=N,P,As)の低温構造及び物性
- 2p-YP-17 純一次元電子系Me_4As(CPDT-TCNQ)_2の低温構造解析
- 8p-C-7 純一次元電子系Me_4X(CPDT-TCNQ)_2(X=As, N)の低温X線回折
- キノノイド構造を有する拡張環状交差共役系の化学
- 21pHA-6 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造と電子状態(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pHA-9 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII(22pHA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aBK-10 π-d系有機導体κ-(BETS)_2FeX_4(X=Cl,Br)の磁場下熱容量測定(24aBK 中性-イオン転移・π-d系など,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pCD-1 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aEB-5 面内磁場下におけるκ-(BETS)_2FeX_4(X=Cl,Br)の熱的研究(19aEB π-d系(BETS,フタロシアニン,DIERTSeなど),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXN-13 π-d系分子性導体BETS塩の面内磁場下熱測定(26pXN π-d系(BETS等),領域7(分子性固体・有機導体))
- 6aSF-2 シクロデキストリン中のピレン単一分子及び単結晶の光吸収スペクトル(励起子・ポラリトン・表面・薄膜,領域5)
- 26aDJ-9 π-d系分子性導体BETS塩の低温電子状態(π-d系(BETS, 単一成分系, DCNQI),領域7(分子性個体・有機導体))
- 6aSF-3 シクロデキストリン中の臭化第二スズSnBr4クラスター及び単結晶の光吸収スペクトル(励起子・ポラリトン・表面・薄膜,領域5)
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