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東北大学際セ | 論文
- 20pTG-4 In_2S_3ナノ粒子の光電気化学特性(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ZnO, ZnS 光触媒薄膜の調製とその触媒特性
- 新しいプロセスによるストラティファイド半導体微粒子の調製とその光触媒特性
- 25aF-12 水素ガス中アーク放電によるナノグラファイバーの成長と構造
- 農村集落再開発計画理論 その4 : 序論-課題と方法(c)(都市計画)
- 農村集落再開発計画理論 その3 : 序論-課題と方法(b)(都市計画)
- 30pPSA-43 フルオレンの単結晶及び単一分子の電子状態
- 30pPSA-42 ビチオフェンとターチオフェンの単結晶及び単一分子の電子状態
- クラスター素材の特徴と応用
- 26a-M-9 共鳴ラマン散乱による単層ナノチューブの金属/半導体状態の判別
- 26pYC-3 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子分子の発光
- 31p-ZG-7 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光II
- 27p-YP-14 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光
- 27aYB-11 Si(111)表面におけるPtシリサイドの形成と表面構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pYH-11 NMRによる(CdSe)_の解析と構造の特徴(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aXJ-4 X線とNMRによる(CdSe)_nナノ粒子の解析(28aXJ 微粒子・クラスタ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31p-YG-11 ZnSe中の単一CbSe量子ドットの発光
- 24aL-4 単一量子井戸ZnS/(ZnSe)_1/ZnSの励起子の超放射効果
- 29p-ZE-14 単一量子井戸ZnS/(ZnSe)1/ZnSの高密度励起状態からの発光
- 27pW-9 電極反応Ag表面のトンネル発光スペクトル空間分布測定
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