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東北大学工学部電子工学科 | 論文
- 高分子配向法を用いた液晶セルの熱処理による液晶分子配向への影響
- ラビングした高分子配向膜における液晶の分子配向(2) : プレティルト角に及ぼす熱処理の影響
- Polarizer Rotation Method for the Measurement of LC Pretilt Angle in the Full Range of 0-90 Degrees
- リタデーションの直接測定による液晶セルのプレチルト角測定
- 2-4 配向膜上の液晶プレティルト角の温度依存性
- フィールド・シーケンシャル・カラー液晶表示素子における消費電力
- 液晶物性値の高精度測定法
- 5-8 フルカラー液晶表示素子の設計
- 大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成
- 高精細溶融熱転写インクリボンの検討
- 2806 測長 AFM を用いたナノ薄膜マイクロパターンの膜厚精密測定
- ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価
- ウルトラクリーン低温プロセスを用いた高信頼性タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET
- ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性
- 正規化ラティス構造を用いた線形離散時間システムのグラミアン保存周波数変換(信号処理,知的マルチメディアシステム,及び一般)
- 正規化ラティス構造を用いた線形離散時間システムのグラミアン保存周波数変換(信号処理,知的マルチメディアシステム,及び一般)
- 正規化ラティス構造を用いた線形離散時間システムのグラミアン保存周波数変換(信号処理,知的マルチメディアシステム,及び一般)
- タンタルゲート電極を用いたSOI MOSFETの閾値制御
- 高誘電率ゲート絶縁膜を用いた高電流駆動能力SOIMOSデバイス
- 薄膜初期成長過程に及ぼす金属シード層の効果