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東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 | 論文
- 23pYD-5 1.5Kで使える反射対物レンズの球面収差及び色収差の改善(生物物理,領域12,ソフトマター物理,科学物理,生物物理)
- Si微斜面での通電効果と表面形態
- 20pPSA-1 GaAs薄膜を用いた軟X線放射光による非線形効果の観測(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- Bi-2212超電導体の不可逆磁界に及ぼす厚さの効果
- MgB_2薄膜の上部臨界磁場と不可逆磁場
- KrFレーザー蒸着法による二硼化物超伝導薄膜の作製(エレクトロニクス・一般)
- Bi-2212超電導体の厚さに対する磁束バンドル内の磁束数g^2の依存性
- Bi-2212薄膜における不可逆磁界の厚み依存性
- La_Sr_CuO_4を用いたランプエッジ型ジョセフソン接合の作製
- YBa_2Cu_3O_/Bi_2Sr_2CaCu_2O_ランプエッジ型ヘテロジャンクションの作製と特性評価
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_/YBa_2Cu_3O_異種超伝導体による積層型接合の作製
- 18pPSA-19 BSCCO薄膜の電磁波放射特性
- 18pPSA-18 BSCCO薄膜の時間領域THz分光
- 21aYD-10 Si(557) 表面の内殻光電子分光
- 21pXH-8 In-situ光電子分光による膜厚に依存したMnAsの電子状態解析(遍歴磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pZC-1 希薄磁性半導体Ga_Cr_XAsのin-situ光電子分光 : Ca_Mn_XAsとの類似点、相違点(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 23pWL-11 (Ga,Mn)Asを用いた二重障壁磁気トンネル接合における電流注入磁化反転機構(23pWL 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aPS-44 GaAs(001)上へのMnAsの界面形成過程の観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 12pXA-5 光電子分光による半導体中の d 準位(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-5 光電子分光による半導体中の d 準位(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
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