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東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 | 論文
- 19pTA-9 熱拡散Mn/GaAs(001)界面の光電子分光(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 28pPSB-3 GaAs(001)に蒸着したMnの熱拡散の光電子分光による深さ方向分析(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-3 GaMnAsのXMCD磁場・温度・濃度依存性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22pPSA-65 X線光電子分光によるGaAs(001):Mnの深さ方向分析(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 24aPS-24 GaMnAsの軟X線磁気円二色性の磁場依存性II(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aYC-13 GaMnAs の軟 X 線磁気円二色性の磁場依存性(磁性半導体, 領域 4)
- 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 磁性ナノ構造の作製と放射光を用いた評価
- 分子線エピタキシー成長表面のin situ光電子分光
- 21pTH-4 Ga_Mn_xAs の in situ 光電子分光
- 30pYL-5 YBa_2Cu_3O_/La_Sr_MnO_3接合の異常な磁場特性
- 24pSG-11 トンネル効果による銅酸化物超伝導体のedge状態
- 31a-K-1 (110)配向YBCO薄膜におけるC-軸方向のI-V特性(II)
- 7p-PSB-34 (110)配向YBa_2Cu_3O_7薄膜の混合状態での局所磁場
- C-8-13 マイクロ波通信用LiNbO_3光変調器のための超伝導昇圧回路の開発
- 27pSK-9 低温固体中の単一Pr^の発光検出の試み(27pSK 量子エレクトロニクス(輻射場の量子情報処理,エンタングルメント),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 銅酸化物超伝導体接合の実験の新展開 (〈超伝導接合の物理と応用〉特集号) -- (異方的超伝導体の物理)
- 1D05 P8OPIMB+5CBの熱異常(トピカルセッション-ソフトマターと液晶-, 2005年日本液晶学会討論会)
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