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東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻 | 論文
- 立方晶ナイトライドのMOVPE成長と評価
- カソ-ドルミネツセンスによる半導体低次元構造の評価 (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (ワ-クショップ カソ-ドルミネッセンスを使った機能評価法の発展)
- GaPN混晶半導体のMOVPEと光学評価
- 28pRH-8 層間磁気抵抗における鉄砒素系超伝導体のフェルミ面トポロジー効果(鉄系超伝導体8(輸送特性など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 鉄系超伝導体における理論的研究の現状 : 有効模型とペアリング機構(鉄系超伝導体)
- θ型ET塩のNMR測定(京都大学基礎物理学研究所共同利用研究会「分子性ゼロギャップ物質の新物性」,研究会報告)
- 近接場光学顕微鏡による空間分解分光法の進展
- 30pTK-5 二成分レナードジョーンズ粒子系による噴霧流シミュレーション(30pTK その他の系(摩擦・地震を含む),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 固体電子論におけるベリー位相
- 高温超伝導と電子 : 格子相互作用
- 高温超伝導と電子-格子相互作用
- 超伝導の基礎理論
- 研究会報告・量子ホール系のエッジモードと量子輸送現象 : レビュー(量子ホール効果及び関連する物理,研究会報告)
- 研究会報告・量子ホール系のエッジモードと量子輸送現象 : レビュー(基研研究会「量子ホール効果及び関連する物理」,研究会報告)
- 〔座談会〕 これからの真空科学とその応用
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 21aXB-11 Siキャップ層の発光特性に及ぼすGe_Sn_xナノドットの構造・組成変化の効果(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-45 極薄Si酸化膜上にエピタシャル成長したFe_3Siナノドットの構造評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
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