GaPN混晶半導体のMOVPEと光学評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaP_<1-x>N_x混晶のMOVPE成長における成長特性を検討することによって成長中の窒素の脱離が窒素組成に大きく影響することがわかった. また, 様々な光学評価によって, GaP_<1-x>N_x混晶における発光過程や緩和過程, 伝導帯の形成機構が明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-17
著者
関連論文
- 立方晶ナイトライドのMOVPE成長と評価
- カソ-ドルミネツセンスによる半導体低次元構造の評価 (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (ワ-クショップ カソ-ドルミネッセンスを使った機能評価法の発展)
- GaPN混晶半導体のMOVPEと光学評価