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日本電気基礎研 | 論文
- 27p-J-4 C_化合物のNMR
- 気相成長の反応モデル--GaAsエピタキシャル成長の表面反応 (結晶工学)
- 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
- 8p-M-11 シリコンカーバイドのPN接合
- クラスターの科学-C_・フラーレンを中心に(第37回物性若手夏の学校(1992年度),講義ノート)
- Y_3Fe_Cox/2Gex/2O_の強磁性共鳴吸収 (II) : 磁性 (ESR)
- 電磁浮遊を用いた過冷却温度領域を含むシリコン融液密度の密度測定
- 2p-E-3 超高真空STMによるSi(100)-c(4×4)表面の観察
- カーボンナノチューブの生成 : 基礎V
- 超格子構造と選択的な不純物ド-ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる--HEMTや発光ダイオ-ドなど化合物半導体デバイスの性能が上がる
- GaAsのエピタキシャル・グロス II : 半導体
- BaTiO_3磁器の圧電効果の経時変化 : 誘電体
- 人工原子C60およびその関連物資
- 24a-PS-43 金属クラスターの価電子系の集団運動
- 時間に依存した局所密度近似による金属クラスターの価電子系の集団運動(基研長期研究計画「原子核集団運動の非線形動力学」研究会報告)
- 3a-E-13 C_及びC_Kの電子状態
- 数値計算によるSi融液中の熱と物質の輸送現象の理解 : 融液成長VI
- 溶融GaAsの粘性係数 : 組成依存性 : 融液成長I
- 超ドープ構造
- 3a-S-6 金属クラスターの電子系の準粒子エネルギー