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日本電気基礎研 | 論文
- 4p-PS-63 電子系の集団励起の計算の新手法
- 30a-T-10 カリウムマイクロクラスターの分裂過程
- C_とK_xC_凝集機構と電子状態
- C60とK3C60のバンド構造
- MnSi_の熱電気的性質 : 半導体
- SiC單結晶 (II) : 半導体
- 半導体について
- SiCの不純物効果 : 半導体
- 非磁性ionを置換したMnFe_2O_4単結晶の磁性 : 磁性 (酸化物他)
- Cd (Se_xTe_)の単結晶成長とその性質 : 光物性
- ZnS: Zn結晶の光電的性質 : 光物性
- 7a-L-3 GaAsのエピタキシヤルグロース
- Mn-Si系の状態図 : 半導体
- Si微小欠陥研究史
- 高温におけるタンタルの酸化被膜 : 半導体
- Pb(Zr, Ti)O_3の誘電率の印加電圧依存症 : 誘電体
- 30p-AA-6 半導体クラスターの形と電子構造 : 理論(30p AA 半導体,表面.界面合同シンポジウム 主題:マイクロクラスターの物理-分子から固体へ)