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日本電気マイクロエレクトロニクス研究所 | 論文

• 0.15μm CMOSトランジスタの特性
• 20Gb/s光受信器用アナログSi-IC
• ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
• p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
• イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
• 27a-S-6 AlAs/GaAs界面のステップ構造の高分解能電子顕微鏡観察
• C_とK_xC_凝集機構と電子状態

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