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日本電気(株)基礎研究所 | 論文
- Mnペロブスカイト薄膜を用いたスピントンネル接合
- ペロブスカイト型Mn酸化物スピントンネル接合 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (伝導電子-スピン)
- 28a-PS-65 パイロクロア型Mn酸化物Tl_2Mn_2O_7の磁気輸送特性
- 29a-Q-13 ビスマス層状構造強誘電体の構造と誘電特性
- 25a-A-1 Bi層状化合物強誘導体の合成と結晶構造解析
- 5p-PSB-7 Mnパイロクロアの構造と磁気特性
- パイロクロア型酸化物Tl_2Mn_2O_7の巨大磁気抵抗効果
- パイロクロア型酸化物Tl2Mn2O7のCMR (固体物理特集号)
- Tl_2Mn_2O_7の磁気輸送特性と構造変化
- パイロクロア酸化物Tl_2Mn_2_O_7の巨大磁気抵抗効果
- 28p-PSA-29 TlSr_2(R_Ca_x)Cu_2O_(R=Lu又はTl)でのアンダードープ、 最適ドープ、 オーバードープ超伝導体
- ナノ構造技術
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 人と地球にやさしい情報社会の実現をサポートするナノテクノロジー(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- シリコンのエピタキシャル成長における表面反応の理論的考察
- 分子軌道法を用いたシリコン気相成長に関する理論的考察
- シリコンのエピタキシャル成長における吸着過程 : エピタキシーI
- シリコンのエピタキシャル成長における表面反応
- 高速ATMセルバッファ用高温超伝導遅延線メモリの提案