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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- 窒化アルミニウムを用いた210nm遠紫外LED (特集 材料からのブレークスルー)
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 窒化物半導体のファセット成長 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- APLS2004開催報告
- 24pWQ-4 擬スピン近藤効果に対する量子ポイントコンタクト検出のバックアクション(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- フェムト秒レーザ励起軟X線源と時間分解X線吸収分光への応用 (特集 NTT物性科学基礎研究所における光研究最前線)
- フェムト秒レーザー生成プラズマX線による時間分解吸収分光
- 4a-L-10 高移動度n-InAsを用いたジョセフソン素子
- 科学解説 水素終端ダイヤモンド高周波電力FETの現状と課題
- Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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