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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- フェムト秒レーザープラズマ軟X線による時間分解XAFS計測
- 5p-B-16 自己誘導透過ソリトンを用いた光非線形
- Si細線における単一電荷の検出と操作
- 高効率軟X線パルス発生と時間分解分光への応用
- 27aA-11 Demonstration of xuv amplification in low-charged oxygen ions
- 31a-ZD-3 Demonstration of boron-like x-ray laser in nitrogen
- フェムト秒レーザー誘起プラズマ軟X線とその物性応用
- 28a-YQ-1 Calculations of ionization process and gain for a circularly polarized 100fs laser driven nickel-like krypton x-ray laser
- 超短光パルス励起プラズマによる広帯域軟X線の発生
- 高出力Ti:Al_2O_3レーザ誘起AlプラズマからのX線発生
- 超高速光セル同期方式
- 26pYM-4 アンドレーエフ準粒子干渉計に対する静電効果
- 3-2 フォトニック結晶による全光制御の進展(3.先端光制御技術の動向,進化する先端フォトニックデバイス)
- フォトニック結晶と負の屈折 : 特異な分散が導くもの
- 27aXF-2 フォトニック結晶における負の屈折(領域5,領域1合同シンポジウム : ナノフォトニクスの物理)(領域5)