スポンサーリンク
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所 | 論文
- 石英系導波路における局所加熱位相トリミングの長期安定性
- ユ-ザ-から見たニュ-ガラス--ニュ-ガラスを用いた光導波路 (ニュ-ガラスの展望)
- ポリイミド光学材料の複屈折と光弾性係数
- B-10-149 デュオバイナリキャリア抑圧RZ符号の提案と100GHz間隔8×43Gbit/s波長多重伝送への応用
- B-10-81 380ps/nmの分散トレランスをもつ完全符号化40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた8チャネルWDM伝送
- C-10-13 多層配線構造を有するGaAs MESFETを用いた分布型セレクタIC
- 0.15μm GaAs MESFETを用いた40Gbit/s識別器IC
- アレイ導波路格子とLCOSを用いたチャネル個別設定可能な可変分散補償器(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-3-52 PLC-LN集積技術を用いた1×4chトランスバーサルフィルタ構成による光スイッチモジュール(光スイッチ・変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- PBC-1-4 フォトニック・マイクロ/ミリ波ソース
- IP-VPNにおけるネットワーク連動型シングルサインオン実現方式の検討
- IP-VPNにおけるネットワーク連動型シングルサインオン実現方式の検討
- B-7-128 IP-VPNにおけるシングルサインオン実現方式の検討
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-14-9 モード同期レーザと符号化用EA変調器をモノリシック集積した光ミリ波送信器(C-14. マイクロ波フォトニクス, エレクトロニクス1)
- 160GHzアクティブモード同期半導体レーザーとその光クロック信号再生への応用
- PD-EAM光ゲート素子による100Gbit/sエラーフリー波長変換の実現(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
スポンサーリンク