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日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所 | 論文
- 10Gb/s 1.55μm EADFBレーザの広温度範囲(-25〜100℃)SMF80km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 1G/10G-EPON用バースト対応トランスインピーダンスアンプ : 高速・高精度自動オフセット補償回路を用いて(WDM技術,光波/量子通信,次世代NWインタフェース技術(Ethernet,OTN),アクセス網技術,光LAN技術,一般)
- 超高速化合物半導体電子デバイスの可能性
- 電子デバイス創発の時代に向けて
- 0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
- 0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFETの高性能化
- 石英系PLC-空間光学系融合技術を用いた多チャネル個別可変分散補償器(光部品の実装・信頼性、一般)
- 石英系PLC-空間光学系融合技術を用いた多チャネル個別可変分散補償器(光部品の実装・信頼性,一般)
- 石英系PLC-空間光学系融合技術を用いた多チャネル個別可変分散補償器(光部品の実装・信頼性,一般)
- InP基板上の温度依存性の小さい光周波数変動センサモジュール
- C-3-78 石英系PLC-LiNbO_3ハイブリッド集積64QAM変調器(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-39 平面光波回路を用いた偏波多重光ハイブリッドモジュール(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 石英系プレーナ光波回路と多心ファイバの接続技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- 石英系プレーナ光波回路と多心ファイバの接続技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- 超高速ディジタル回路用0.1μm級GaAsMESFET
- C-12-56 ω_nドメイン設計手法によるCDR-ICの低ジッタ化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-3-65 1G-10GデュアルレートOLT光トランシーバ用リセット型バーストAPD-ROSA(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 次世代PONシステム用高速バースト光受信技術 : 高感度・高速応答10Gバースト対応PIN-TIAモジュール(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,(OFC報告),一般)
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