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日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- フェムト秒レーザー励起X線光源を用いた超高速時間分解分光
- 「高輝度コヒーレントX線光源」特集号によせて
- レーザープラズマ軟X線によるフェムト秒レーザーアブレーションプルームの分析
- LEOS2008参加報告
- Laser Review フェムト秒レーザー励起X線光源を用いた超高速時間分解分光 (「高輝度コヒーレントX線光源」特集号)
- 印象に残った言葉, わかり難いコトバ
- フェムト秒レーザープラズマ軟X線の分光応用
- 超高速XAFS分光法によるフェムト秒レーザーアブレーションプルームの時空間発展ダイナミクス計測
- フェムト秒レーザープラズマX線を用いた時間分解吸収分光(EXAFS)計測
- フェムト秒レーザー励起X線の時間分解XAFS計測への応用
- 30aUG-1 レーザー励起X線の物性研究への応用(30aUG 高エネルギー密度状態の科学(X線・凝縮系プラズマ物性),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- UFO/HFSW2005国際会議開催報告
- ダイヤモンドMESFETの高周波特性
- ECRプラズマ成膜SiN,Al_2O_3ナノマスクを利用した低転位GaNの成長(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
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