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日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- 18aYJ-6 縦型円形量子ドットにおける準位交差と近藤効果
- 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
- 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
- p型シリコンにおける超高速キャリア・フォノンダイナミクスの観測
- 単電子の転送と検出デバイス
- 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 単電子トランジスタとMOSトフンジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- 半導体量子ドットにおける近藤効果
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
- 核なし原子つくった(創立100周年記念 不思議な現象)
- B-10-25 偏波無依存化した周波数上方変換型光子検出器を用いた量子鍵配送フィールド伝送実験(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- 時間分解内殻準位光電子分光による半導体表面過程の解析
- シリコン系基板上でのカーボンナノチューブの化学気相成長における触媒の効果
- 通信波長帯単一光子・エンタングル光子対の生成と伝送
- 微小光共振器による励起子--光子相互作用状態制御 (特集 NTT物性科学基礎研究所における光研究最前線)
- Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- COLA2009参加報告