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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 | 論文
- 光ファイバ端面マイクロテーパ加工技術の開発
- 将来光ネットワークのための160Gb/s光16QAMの長距離伝送技術(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- フォトニックMPLSルータにおける波長ルーティング技術
- SB-13-4 フォトニックNPLSによるIPと光ネットワークの統合
- B-10-106 フォトニックMPLSルータにおけるVWNを構築する波長変換技術
- 全光波長変換デバイスの開発動向 (特集論文 フォトニックネットワークを実現する波長変換デバイス)
- 光トランシーバダイオード(TRAD)における送受信特性の検討
- 1.55μm帯ハイブリッド集積型波長変換モジュール
- スポットサイズ変換付き光トランシーバダイオードにおける動特性の検討
- プレーナ導波路型フォトダイオード(SIMPLE-WGPD)の信頼性評価
- C-14-4 フォトダイオードをダウンコンバータに利用した300GHz帯ホモダイン検波システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 二光子吸収特性を利用した有機ホウ素化合物の導波路構造型多層光メモリへの応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- シングルキャリア周波数領域等化技術による波長分散補償(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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