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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 | 論文
- C-3-61 PLC-LNハイブリッド集積技術を用いたRZ-DQPSK変調モジュール(光変調器,C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- 石英系PLC-LiNbO_3ハイブリッド集積技術を用いたマッハ・ツェンダ干渉計型高速光変調器及び光スイッチの開発(光変復調技術,分散補償技術,光品質監視,光信号処理技術,一般)
- B-10-47 CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた55波×86Gbit/s、375km伝送実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- PLC集積型マイクロミラーアレイ作製技術とスタック型インラインモニタへの応用(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析(光部品の実装・信頼性,一般)
- B-12-21 Low-Power, Low-Latency ,4x4 Optical Packet Switching of Asynchronous Optical Packets with a 4x4 Label Processing and Switching Sub-System
- シングルキャリア周波数領域等化技術による偏波モード分散補償(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 周波数変調DBRレーザを用いた40Gbps変調とSMF20km伝送(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-7 SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器を用いた10Gbit/sデュオバイナリ伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-15 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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