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日本原子力研究開発機構先端基礎研 | 論文
- 21aHS-3 陽電子マイクロビームを用いた炭化ジルコニウム燃料被覆膜の評価(21aHS X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aRB-7 融点直下シリコンの陽電子消滅測定(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 全反射陽電子回折による極表面構造の解析と物性
- 15pXG-7 磁界レンズを用いた陽電子回折装置の開発(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 20pXB-5 反射高速陽電子回折・開発とその応用
- 24aYM-2 超重力場処理後の金属間化合物(Bi_3Pb_7)の陽電子寿命測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 原子力機構における陽電子マイクロビームの生成・利用
- 28pYK-6 陽電子マイクロビームによる応力印加下ステンレス鋼の亀裂評価(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30aXD-7 陽電子消滅法によるSi中不純物ゲッタリング挙動の研究(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pWL-3 スピン偏極陽電子と磁性電子の対消滅過程(23pWL 実験技術・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRH-9 高スピン偏極陽電子源の開発とスピン偏極率評価(23pRH 放射線物理(分析・計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 反射高速陽電子回折による表面研究
- 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
- 27pY-11 反射高速陽電子回折による水素終端Si(111)の解析
- 28p-Q-6 反射高速陽電子回折(RHEPD)の開発とシリコン表面研究への応用
- 陽電子利用研究の展望
- 陽電子消滅法によるSiGe中の電子線照射欠陥の研究(I)
- 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
- 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
- 21pWA-7 陽電子マイクロビームを用いたステンレス応力腐食割れ劣化の観察(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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