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日本ガイシ | 論文
- 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 長期追跡健康診断データにおける遺伝・環境要因を用いた生活習慣病リスク決定法
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 1C18 履歴の異なる粘土の乾燥収縮特性
- コーティングによるがいしの汚損付着量低減に関する研究
- 新型がいし選定にあたっての考え方
- かいし選定の現状と課題 (その2)
- がいし選定の現状と課題 (その1)
- 長がいし連、がい管の沿面放電特性 (特集 放電学会春季合同シンポジウム) -- (風車ブレードのような長い絶縁物の沿面放電)
- 高抵抗全面導電釉懸垂がいしの開発
- がいしの材料技術と研究動向
- 沿面放電と最近のがいし技術
- ポリマーがいしの汚損耐電圧に及ぼす電源容量の影響
- 直流課電がいし連の部分フラッシオ-バに関する研究 (直流送電・SVC)
- 交直変換所における壁貫ブッシングのフラッシオ-バに関する研究
- 750kV直流汚損試験設備