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徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部 | 論文

• 20pYH-7 リチウム遷移金属酸化物におけるミリング効果(20pYH 超イオン導伝体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 23aWB-5 Li-Cu系酸化物における電気伝導とNMR(23aWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御(センサーデバイス,MEMS,一般)
• デバイスの微細化限界と窒化ガリウムトランジスタ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• C-10-9 2次元デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN HEMTの高周波特性予測
• V_T-V_特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価
• C-10-13 マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-10-10 GaN/AlGaN/GaNフォトトランジスタを用いたUVセンサ回路(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-19 AlGaN/GaN HFETパルスI-V特性シミュレーション(C-10.電子デバイス)
• Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current
• オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
• Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current
• オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
• 25aRG-6 Li-Mn系酸化物における構造とLi^+イオン拡散挙動(25aRG 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 窒化ガリウム電子デバイスの研究開発
• 20aHC-1 ANbO_3(A=Li,Na,Ag)における構造不安定性とイオン運動(20aHC 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))

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