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広島大学大学院 先端物質科学研究科 | 論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 集積化ストリップラインデバイスとそのTHz-TDS応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価 (シリコン材料・デバイス)
- 過硫酸ナトリウムによるエチルt-ブチルエーテル(ETBE)の分解機構
- 2. レーザーとプラズマによる粒子加速の原理(レーザープラズマ粒子加速器開発の最近の進展)
- 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 乾式メタン発酵による有機性廃棄物からのメタン回収(バイオマスからのバイオ燃料/有用物質の生産:バイオ技術によるバイオマス再資源化)
- プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 57 ダニDermatophagoides farinaeにおけるアレルゲノーム解析
- デジタル精度補正回路を搭載した高速・低電力CMOS量子化器(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- デジタル精度補正回路を搭載した高速・低電力CMOS量子化器(アナログ回路,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 光ファイバー先端での生物発光を利用した高感度ATP検出
- Poly-Si/SiGe/Si積層ゲートにおける原子拡散評価(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
- Sub-0.1μm nMOSFETにおけるn^+poly-Si側壁/SiO_2界面近傍の不純物空乏化現象の定量評価
- 極薄LaO_xからHfO_2/SiO_2層へのLa原子の拡散(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 3.1 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化(3.結晶化・相変化制御への応用,熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス)
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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