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広大 | 論文
- 構造系の弾性有限変位・分岐問題における大域的非線形解法 (ハイパフォーマンスコンピューティング)
- 3Dはり要素を用いた分岐座屈解析
- 鋭い切欠の高強度部材の疲労特性のE依存性とその機械,構造の疲労設計への影響の重要性
- 2318 鋭い切欠の高強度部材の疲労特性のE依存性とその機械、構造の疲労設計への影響の重要性(S07-3 疲労強度,S07 構造材料の疲労強度とき裂進展問題)
- 一方向性珪素薄鋼板の疲労き裂進展挙動についての二三の実験結果 : 負荷, 予き裂の方向を変えた大気中の場合(疲労)
- 4617 集合住宅の用途別水需要予測に関する研究
- 4509 集合住宅における給水主管内の流量変動の解析
- 4492 集合住宅における給水・給湯使用量の解析
- 368 建築物における給水負荷算定法に関する研究 : その1.集合住宅の流量変動の検討(環境工学)
- 29a-Q-3 200AGeU/c硫黄+鉛衝突における粒子発生の多次元解析
- 極薄LaO_xからHfO_2/SiO_2層へのLa原子の拡散(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 3.1 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化(3.結晶化・相変化制御への応用,熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス)
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- 金属/高誘電率絶縁膜ゲートスタックの光電子分光分析
- ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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