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工学院大学・工学部 | 論文

• 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 化合物原料MBE法によるGaN薄膜の製作と発光素子への応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 光励起によるAlGaN多重量子井戸型深紫外レーザーの発振特性 : 発振波長域240-360nm
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• CS-4-3 AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外域レーザ発振と光学異方特性 : 深紫外レーザ発振波長のどこから偏波特性は変わるのか?(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
• 深紫外AlGaN多重量子井戸型半導体レーザー光の光学的異方特性
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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