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岡山大学自然科学研究科 | 論文
- 25aWB-13 STMによる4H-SiC(0001)√×√構造の観察及び評価
- 28p-S-10 モンテカルロシミュレーションを利用したシリサイド2層膜系の定量分析
- 29p-ZC-2 局所尺度変換を用いた密度汎関数理論 : 固体物理への応用
- 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
- 29a-PS-17 角度分解光電子分光法による6H-SiC(0001)Si
- 遷移金属(薄膜)/Si(基板)系の構造及び電子状態
- シリサイド/Si接合系からの電子線励起Si-L_線 : シミュレーションと実験
- 軟X線放出分光法によるMnシリサイドの価電子帯構造に関する研究
- Si(100)2×1表面上のPd初期吸着過程
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 13a-DF-11 エピタキシャルβ-FeSi_2薄膜の電気的特性
- 28a-Z-9 遷移金属/Si系の界面形成初期過程の研究
- Si基板上へのSiC-Buffer層の成長 : 気相成長I
- 27p-ZS-7 シンクロトロン放射光を用いた室温におけるSi(100)2x1表面上のPd初期吸着過程の研究
- 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
- 30a-L-3 GTC-CVD法によるエピタキシャルAl/Si(111)界面の断面TEM観察
- 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
- 23aTC-1 BEDT-TTF系の強磁場超伝導状態の磁化(23aTC κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTG-10 C_TDAEの圧力下構造測定II(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aXQ-11 超伝導体のCantilever法による微小トルク測定(液体^3He・超臨界・実験技術,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)