スポンサーリンク
富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 | 論文
- 窒化アルミニウムバリアを用いたTMR膜の諸特性
- 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
- CoFe層を持つスピンバルブライク強磁性トンネル膜
- トンネル型磁気抵抗素子の開発と磁気ヘッド, MRAMへの応用
- CoFe磁性層を持つ強磁性トンネル接合膜
- 酸素プラズマ放電による強磁性トンネル接合の作製
- Spin-valve-like トンネル膜の熱処理効果
- Co/Al-AlOx/NiFe(/FeMn)接合の強磁性トンネル効果
- 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
- 酸素プラズマ放電による強磁性トンネル接合の作製
- Al_2O_3-膜の電気特性に対する窒素添加効果
- 高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)
- CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合の絶縁破壊特性とそのメカニズム