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富士通研究所基盤技術研究所 | 論文
- Si(100)表面初期酸化における層状成長とP_欠陥生成
- 3. 微少量・高精度・極限に迫る 全反射を利用して超薄膜を調べる
- SNDMによる Flash Memory の蓄積電荷の視覚化
- 走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)による半導体デバイスの評価 (特集 SPMによる半導体表面分析の最近の展開)
- 走査型非線形誘電率顕微鏡によるフラッシュメモリ中の蓄積電荷の可視化
- C-6-12 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いた Si_3N_4/SiO_2/Si 半導体基板への電荷記録
- 走査型非線形誘電率顕微鏡法によるMONOS型メモリのVth分布観察(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)