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大阪電気通信大学工学研究科電子通信工学専攻 | 論文
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiO_2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案(シリコン関連材料の作製と評価)
- 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案(シリコン関連材料の作製と評価)