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大阪大 大学院工学研究科 | 論文
- 軽量コンクリート床版の押抜きせん断耐荷力
- CFRCの曲げ疲労寿命の評価
- SFRCの曲げ疲労ひび割れ進展寿命の評価
- 位相回復波面計測法に基づくX線ナノ集光ミラーの開発
- 硬X線ナノ集光ミラーの形状計測
- EEM(Elastic Emission Machining)によるナノ精度加工 (特集 モノづくりと混相流(6)機能性微粒子技術を支える現象・要素技術)
- 硬X線ナノ集光用超高精度楕円ミラーの作製と1次元集光性能の評価
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける微粒子表面の形態が加工表面に及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける加工液がSi(001)表面のマイクロラフネスに及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)による4H-SiC(0001)表面の平滑化
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第1報) : 半導体表面の超平坦化のための超清浄EEMシステムの開発
- 硬X線用斜入射平面ミラーの形状誤差が反射X線強度・位相分布に及ぼす影響の波動光学的評価
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)