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埼玉大理 | 論文
- 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光
- 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用
- 22aWA-7 C_/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル
- OME2000-51 異種原子終端Si基板上でのフラーレン分子のエピタキシー
- 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構
- 22aW-5 (C_,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル
- 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定
- 26aPS-13 Si(111)-√x√Ag表面上に作製したC_単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_単層膜の電子エネルギー損失スペクトル
- 21aPS-77 Ca_3Ru_2O_7の一軸圧力下の物性II(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19pWF-8 Ca_3Ru_2O_7の一軸圧力下の物性(19pWF Ru系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-68 層状ペロブスカイト型ロジウム酸化物Sr_La_xRhO_4における単結晶育成とその物性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 9a-H-10 理研GARIS/IGISOLでの共鳴イオン化によるオンラインレーザーイオン源の開発
- 30a-H-6 ^Taの核モーメントの測定
- 31a-N-6 レーザーRF二重共鳴法による^Taの超微細構造と核モーメント
- 3a-J-12 レーザーRF二重共鳴による^Wの超微細構造の精密測定
- 1a-ZQ-9 ^Taの電気四重極モーメント
- 4a-PS-20 レーザーアブレーションIGISOLを用いた共線レーザー核分光
- 28p-L-2 理研collinearレーザー核分光装置の開発
- 30a-SD-4 IGISOLイオンビームの速度分布のガス圧依存性