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名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー | 論文

• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Moth eye発光ダイオード(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察

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