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名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター | 論文
- Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- GaN上にALD成膜したAl?O?を用いたMISダイオードの電気的特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- GaNのドライエッチング技術
- SC-7-13 サファイア基板上のリセスゲートAlGaN/GaN HEMT
- 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ
- GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
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- GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
- Metal–Organic Chemical Vapor Deposition Growth and Characterization of InAlGaN Multiple Quantum Wells
- Effect of Growth Temperature on Structural Quality of InAlN Layer Lattice Matched to GaN Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
- GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
- D305 傾斜面を運動する二輪車両の適応制御(OS5 機械構造物の耐震・免震・振動制御1)
- SC-5-5 サファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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- GaN上にALD成膜したAl_2O_3を用いたMISダイオードの電気的特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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- Optimization of a Tip with Carbon Nanofibers for Improved Field Emission Properties