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名古屋大学工学部電子工学科 | 論文
- 28pB21P 高感度プラズマシース電界測定のためのArレーザーシュタルク分光計測(プラズマ基礎・応用、計測)
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- B-1-167 ナノホールアレイを用いた左手系光導波路(B-1.アンテナ・伝搬B(アンテナ一般),一般セッション)
- アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ
- 電子・情報デバイスの材料戦略概要
- 電子・情報デバイスの材料戦略概要 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
- 学会だより 第71回応用物理学会学術講演会
- 科学解説 ダイヤモンド電子デバイスのための半導体物理
- サファイア基板上のGaNのヘテロエピタキシー機構(ヘテロエピタキシー機構)
- TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
- 10p-L-10 円柱状YIG単結晶を伝搬するスピン波の不安定現象
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- アルミニウム表面プラズモンカラーフィルタ(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x超伝導薄膜を用いた平面型接合の作製
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