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名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 論文

• 乱流予混合火炎の燃焼診断に対するアセトン-OH同時PLIF計測手法の有効性の検討(熱工学,内燃機関,動力など)
• 部分予混合化によるPAHs抑制メカニズムの検討(熱工学,内燃機関,動力など)
• 反応進行度とその勾配による非定常対向流予混合火炎の火炎構造の整理
• 三重管バーナの燃焼特性と火炎構造の検討(熱工学,内燃機関,動力など)
• Two-Sheet OH-PLIF法による乱流予混合火炎の火炎構造および局所消炎の検討(熱工学,内燃機関,動力など)
• 非定常対向流予混合火炎の火炎構造に与える流入速度変動の影響に関する数値解析(熱工学,内燃機関,動力など)
• 12pYD-2 有機物/金属界面におけるバンドアライメント(主題 : ヘテロ界面における新しい電子状態と制御, 領域 9)
• LII法によるすす計測とディーゼル排気ガスへの適用(熱工学,内燃機関,動力など)
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス

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